Hoe heet de grens van een gebied in het kristal waar de volgorde van Ga en As is omgekeerd, die gemakkelijk ontstaat wanneer een polaire samengestelde halfgeleider zoals GaAs op een niet-polair siliciumsubstraat wordt gegroeid?

Antwoord: A. Antifasegrens (APB)

Wanneer een polaire samengestelde halfgeleider zoals GaAs op niet-polair silicium wordt gegroeid, groeien aan weerszijden van een trap van één atoomlaag op het oppervlak gebieden waarin de posities van Ga en As zijn verwisseld, en op de grens daartussen ontstaat een antifasegrens (APB). Een APB bevat onjuiste Ga-Ga- en As-As-bindingen, die als elektrische defecten werken. Tegenmaatregelen zijn onder meer een substraat met off-angle te gloeien zodat trappen van twee atoomlagen ontstaan en de groei in sleuven uit te voeren om APB's op te sluiten.