Welke methode wordt gebruikt om een dikke GaN-laag snel te laten groeien om een vrijstaand GaN-substraat te maken?

Antwoord: B. HVPE (hydridedampfase-epitaxie)

Bij HVPE wordt waterstofchloride over gallium van hoge temperatuur geleid om galliumchloride (GaCl) te vormen, dat met ammoniak reageert, waarbij GaN groeit. De groeisnelheid is met enkele tientallen tot enkele honderden µm per uur enkele tientallen keren zo hoog als bij MOCVD. Op bijvoorbeeld saffier groeit een dikke GaN-laag van enkele honderden µm tot mm, die na verwijdering van het substraat een vrijstaand substraat wordt; een voordeel is ook dat dislocaties afnemen naarmate de laag dikker groeit. GaN-substraten worden gebruikt voor lasers en verticale vermogenscomponenten.