Hoe heet het toevoegen van onzuiverheden tijdens de groei door doteergas te laten stromen tijdens epitaxiale groei?

Antwoord: A. In-situ-doping

Bij in-situ-doping stroomt tijdens de groei doteergas (fosfine, diboraan e.d.), zodat onzuiverheden worden opgenomen. Kristalbeschadiging zoals bij ionenimplantatie en een gloeistap bij hoge temperatuur voor activering zijn dan niet nodig. Door het gasdebiet om te schakelen kan een nauwkeurig concentratieprofiel in de diepte worden gemaakt en kan een hoge activeringsgraad worden bereikt. Bij de epilagen van SiGe:B en Si:P in source en drain van geavanceerde transistoren worden hoge concentraties in de klasse van 10²¹ cm⁻³ gerealiseerd.