Welk bereik is gebruikelijk voor de dikte van de epitaxiale laag van siliciumepiwafers voor LSI en vermogenscomponenten?

Antwoord: B. Circa enkele µm tot enkele tientallen µm

De epilaag voor logica en beeldsensoren is circa enkele µm dik; voor vermogenscomponenten met hoge spanning wordt zij afhankelijk van de doorslagspanning dikker, enkele tientallen µm bij Si in de 600 V-klasse en bij SiC in de 10 kV-klasse soms meer dan 100 µm. Vergeleken met de wafer zelf, circa 775 µm dik, is het een zeer dunne laag. Epilagen van samengestelde halfgeleiders, zoals de basis van HBT's of kwantumputten, zijn daarentegen enkele nm tot enkele tientallen nm dik, zodat het dikteverschil per toepassing meer dan 4 ordes van grootte kan bedragen.