Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Welk voorbeeld van heteroepitaxiale groei is juist?

  1. ADe groei van silicium op een siliciumsubstraat
  2. BDe groei van SiGe op een siliciumsubstraat
  3. CDe thermische oxidatie van een siliciumsubstraat
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. De groei van SiGe op een siliciumsubstraat

Het laten groeien van hetzelfde materiaal als het substraat heet homo-epitaxie en van een ander materiaal heteroepitaxie. SiGe op silicium, GaN op saffier of SiC en AlGaAs op GaAs zijn voorbeelden van heteroepitaxie, waarbij het beheersen van spanning en defecten door verschillen in roosterconstante en thermische uitzetting een uitdaging is. SiO2 uit thermische oxidatie is een amorfe film die ontstaat doordat silicium wordt verbruikt, en dus geen epitaxiale groei.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Waarvoor wordt MOCVD (metaalorganische chemische dampafzetting) vooral gebruikt?
  2. Welk probleem treedt vooral op wanneer het verschil in roosterconstante tussen substraat en gegroeide film (roostermismatch) groot is?
  3. Welke uitspraak over de kenmerken van MBE (moleculaire bundelepitaxie) is juist?
  4. Welk gas wordt als grondstof gebruikt bij de epitaxiale groei van silicium?
  5. Welke uitspraak over selectieve epitaxiale groei is juist?