Welke techniek, ontwikkeld door onder meer Isamu Akasaki en Hiroshi Amano, waarbij eerst bij lage temperatuur een dunne laag wordt afgezet en daarna bij hoge temperatuur GaN wordt gegroeid, dient om GaN van hoge kwaliteit op een saffiersubstraat te laten groeien?

Antwoord: B. Lagetemperatuur-bufferlaagtechniek

Als GaN direct op saffier wordt gegroeid, ontstaan de kiemen verspreid en groeit een ruw kristal van zeskantige zuiltjes. Akasaki, Amano en anderen slaagden er in 1986 in een vlak kristal van hoge kwaliteit met een hoge kiemdichtheid te verkrijgen door eerst bij lage temperatuur van circa 500 °C een dunne bufferlaag van AlN (enkele tientallen nm) af te zetten en daarop bij circa 1000 °C GaN te laten groeien. Deze techniek en de realisatie van p-type GaN leidden tot de blauwe led, en later werd ook een lagetemperatuur-bufferlaag van GaN zelf gebruikt.