Nederlands
Menu

Epitaxiale groei

Welke techniek wordt gebruikt om de baselaag van een SiGe-HBT te vormen?

  1. AEpitaxiale groei (waarbij de Ge-concentratie ook in de diepte kan variëren)
  2. BCMP
  3. CSputteren
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Epitaxiale groei (waarbij de Ge-concentratie ook in de diepte kan variëren)

De basis van een SiGe-HBT wordt gemaakt door op silicium een SiGe-laag van enkele tientallen nm dik bij lage temperatuur epitaxiaal te laten groeien terwijl boor wordt toegevoegd. Als de Ge-concentratie wordt verhoogd van 0% aan de emitterzijde naar 20 tot 30% aan de collectorzijde, ontstaat door de helling in de bandkloof een elektrisch veld in de basis, worden elektronen versneld en wordt de transittijd korter. Ook wordt een beetje koolstof toegevoegd om de diffusie van boor te onderdrukken en zo de basis dun te houden.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Epitaxiale groei

  1. Welk voordeel heeft het toevoegen van onzuiverheden tijdens epitaxiale groei ten opzichte van thermische diffusie?
  2. Waarom is het in geavanceerde CMOS-processen nodig de temperatuur van de epitaxiale groei van silicium of SiGe te verlagen?
  3. Welk kristalpolytype (polytype) wordt vooral gebruikt voor SiC-vermogenscomponenten?
  4. Welke techniek in MBE laat een elektronenbundel onder een ondiepe hoek op het groeiende oppervlak vallen en neemt de groei in situ waar aan de hand van het diffractiebeeld?
  5. Welke uitspraak over de herkomst van het woord 'epitaxie' (epitaxy) is juist?