En exposant le silicium simultanément à du XeF2 gazeux et à un faisceau d'ions argon, la gravure progresse beaucoup plus vite que la somme des deux traitements séparés. Quelle propriété de la gravure sèche cela démontre-t-il ?

Réponse : C. La synergie entre ions et radicaux (gravure assistée par ions)

Dans l'expérience de Coburn et Winters de 1979, la vitesse de gravure était faible avec le XeF2 seul ou les ions argon seuls, mais l'exposition simultanée donnait une vitesse environ 10 fois supérieure à leur somme. Le bombardement ionique crée en surface une couche désordonnée plus réactive et favorise la désorption des produits de réaction. Grâce à cette synergie (assistance ionique), seul le fond frappé par les ions est gravé rapidement, ce qui permet une gravure rapide et anisotrope en gravure ionique réactive.