Gravure

Comment appelle-t-on l'anomalie de profil en gravure sèche par laquelle le fond d'une tranchée est creusé plus profondément le long des flancs qu'au centre, formant une fine rainure ?

  1. AMicrotranchée (microtrenching)
  2. BBowing
  3. CRecul du masque
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. Microtranchée (microtrenching)

La microtranchée est un creusement local plus profond du fond d'une tranchée ou d'un trou le long des flancs. On l'attribue à la concentration aux angles du fond des ions réfléchis par les flancs inclinés, ainsi qu'à la déviation des ions par les charges des flancs. En gravure de grille ou de STI, elle peut percer la sous-couche depuis les angles du fond ou poser des problèmes de remplissage ultérieur et de concentration de champ ; on la limite en ajustant la pression, la polarisation et les gaz.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Gravure

  1. En exposant le silicium simultanément à du XeF2 gazeux et à un faisceau d'ions argon, la gravure progresse beaucoup plus vite que la somme des deux traitements séparés. Quelle propriété de la gravure sèche cela démontre-t-il ?
  2. Quel phénomène, en gravure plasma de motifs à fort rapport d'aspect, correspond au blocage des électrons par les flancs, à l'accumulation de charges négatives en haut des motifs et à la déviation des ions positifs au fond, provoquant anomalies de profil et dommages ?
  3. Quelle méthode de gravure au stade de la recherche neutralise les ions produits par un plasma avant de les diriger sur la plaquette, afin de limiter les dommages dus aux charges et aux ultraviolets ?
  4. Pourquoi utilise-t-on principalement des revêtements d'oxyde d'yttrium (Y2O3) ou analogues sur les parois internes et les pièces des équipements de gravure plasma ?
  5. Quel est le rôle principal de l'anneau de focalisation entourant la périphérie de la plaquette dans un équipement de gravure plasma ?

Comparatifs sur ce thème