Gravure

Quelle solution est couramment utilisée pour la gravure humide du nitrure de silicium ?

  1. AL'eau pure
  2. BL'acide phosphorique chaud
  3. CL'ammoniaque
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. L'acide phosphorique chaud

Le nitrure de silicium se grave dans de l'acide phosphorique concentré chauffé à environ 160 ℃, avec une sélectivité élevée, de quelques dizaines à plus de 100, par rapport à l'oxyde. Cette gravure sert à retirer le nitrure utilisé comme masque après la formation du LOCOS ou du STI, ou, en 3D NAND, à retirer uniquement le nitrure d'un empilement alterné oxyde/nitrure pour le remplacer par le métal des lignes de mot. La sélectivité variant avec la concentration de silicium dans le bain, un contrôle rigoureux est nécessaire.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Gravure

  1. Comment appelle-t-on le phénomène par lequel, pendant la gravure plasma, un conducteur faisant antenne, comme une longue interconnexion, collecte des charges et endommage l'oxyde de grille auquel il est relié ?
  2. Quelle est la caractéristique de la gravure humide du silicium par une solution aqueuse d'hydroxyde de potassium (KOH) ?
  3. Quelle est la caractéristique des équipements de gravure à plasma à couplage inductif (ICP) ?
  4. Quel indicateur exprime la faiblesse de la dispersion de la vitesse de gravure sur la plaquette ?
  5. Comment appelle-t-on le fait de poursuivre la gravure pendant un temps donné après la détection de fin d'attaque, afin de retirer le film à coup sûr sur toute la plaquette ?

Comparatifs sur ce thème