Gravure
Quelle est la caractéristique de la gravure humide du silicium par une solution aqueuse d'hydroxyde de potassium (KOH) ?
- ALa vitesse de gravure varie fortement selon le plan cristallin, le plan (111) étant très lent, ce qui produit notamment des tranchées en V à flancs inclinés
- BC'est une gravure isotrope progressant à la même vitesse sur tous les plans cristallins
- CElle dissout rapidement l'oxyde
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Réponse : A. La vitesse de gravure varie fortement selon le plan cristallin, le plan (111) étant très lent, ce qui produit notamment des tranchées en V à flancs inclinés
Les solutions alcalines comme le KOH gravent le plan (111) du silicium environ 100 fois plus lentement que le plan (100) ; sur une plaquette (100), les plans (111) apparaissent et forment des tranchées en V ou des cavités pyramidales à flancs inclinés d'environ 54,7°. Cette anisotropie liée à l'orientation cristalline est exploitée pour réaliser les membranes de capteurs de pression MEMS, les buses de jet d'encre ou la texturation de surface des cellules solaires qui piège la lumière.