Français
Menu

Gravure

Quel gaz permet de graver le silicium de façon isotrope sans plasma, par exemple pour le retrait de couches sacrificielles en MEMS ?

  1. AO2 (oxygène)
  2. BN2 (azote)
  3. CXeF2 (difluorure de xénon)
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. XeF2 (difluorure de xénon)

Le XeF2 est un composé qui se sublime vers la température ambiante ; il réagit spontanément avec le silicium pour former du SiF4 et grave le silicium de façon isotrope sans plasma (2XeF2 + Si → 2Xe + SiF4). Sa sélectivité par rapport à l'oxyde, au nitrure, à la résine et à de nombreux métaux est très élevée, plus de 1000, et l'absence de liquide limite le collage (stiction) ; il est donc utilisé pour libérer les structures MEMS d'une couche sacrificielle en silicium.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Gravure

  1. Quelle technique amincit progressivement par plasma les motifs de résine réalisés par exposition, afin d'obtenir des traits plus fins que la limite de l'exposition ?
  2. Quelle disposition est couramment adoptée en gravure d'électrode de grille pour préserver le mince diélectrique de grille sous-jacent ?
  3. Lorsqu'un film de 1 µm d'épaisseur est gravé par gravure humide parfaitement isotrope jusqu'à atteindre exactement la sous-couche, quel est l'ordre de grandeur de la gravure latérale depuis le bord du masque (sous-gravure) ?
  4. Quel indicateur exprime l'inclinaison des flancs d'un trou ou d'une tranchée gravé par rapport à la verticale ?
  5. Quel est généralement l'effet de l'ajout d'un peu d'oxygène à une gravure par gaz fluorés ?

Comparatifs sur ce thème