Gravure
Quelle disposition est couramment adoptée en gravure d'électrode de grille pour préserver le mince diélectrique de grille sous-jacent ?
- AGraver du début à la fin avec les mêmes conditions agressives
- BGraver d'abord avec des conditions à vitesse élevée, puis passer à des conditions de sélectivité élevée par rapport à la sous-couche à l'approche de celle-ci
- CPoursuivre un moment avec des conditions agressives après l'apparition de la sous-couche
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Réponse : B. Graver d'abord avec des conditions à vitesse élevée, puis passer à des conditions de sélectivité élevée par rapport à la sous-couche à l'approche de celle-ci
En gravure de grille, l'essentiel du film est d'abord retiré avec des conditions rapides définissant le profil (gravure principale), puis, après la détection de fin d'attaque, on passe à des conditions à haute sélectivité qui n'attaquent presque pas les quelques nm d'isolant sous-jacent (surgravure) pour retirer les résidus de marche. Diviser les conditions en plusieurs étapes permet de concilier profil vertical et protection de la sous-couche. Si le diélectrique de grille est percé, le silicium sous-jacent est gravé et le transistor devient défectueux.