Welke methode wordt hoofdzakelijk gebruikt voor elementisolatie in fijne LSI's?

Antwoord: C. STI (shallow trench isolation)

In huidige fijne LSI's wordt hoofdzakelijk STI gebruikt, waarbij in silicium een ondiepe gleuf van ongeveer 200 tot 300 nm diep wordt gegraven, met CVD-oxide wordt opgevuld en met CMP wordt vlakgemaakt. LOCOS, dat vroeger de hoofdmethode was, kon de isolatiebreedte niet verkleinen door het bird's beak, waarbij de oxidefilm zijdelings indringt, en liet ook stappen in het oppervlak achter, en werd vanaf ongeveer de 0,25 µm-generatie door STI vervangen. STI is vlak, kan smal worden gemaakt en wordt ook gebruikt voor isolatie tussen de fins van FinFET's.