Oxidatie en diffusie

Welke n-type onzuiverheid diffundeert bij warmtebehandeling in silicium relatief langzaam en maakt het gemakkelijk ondiepe overgangen?

  1. ABoor (B)
  2. BFosfor (P)
  3. CArseen (As)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Arseen (As)

Van de n-type onzuiverheden heeft arseen grotere atomen dan fosfor en een kleinere diffusiecoëfficiënt, en met een massa van 75 meer dan twee keer die van fosfor (31) dringt het ook bij ionenimplantatie ondiep binnen. Omdat de oplosbaarheid hoog is en hoge concentraties mogelijk zijn, wordt het gebruikt voor source/drain en extensies van nMOS, waar ondiepe, steile overgangen met lage weerstand nodig zijn. Fosfor diffundeert snel en wordt gebruikt voor diepe wells en tegenwoordig als epitaxiaal SiP. Boor is een p-type onzuiverheid.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Oxidatie en diffusie

  1. Welke uitleg over pyrogene oxidatie (waterstofverbrandingsoxidatie) is juist?
  2. Welke richtwaarde voor de doorslagveldsterkte van goede thermische oxide (SiO2) is juist?
  3. Welke methode laat waterstof en zuurstof dicht bij het waferoppervlak reageren om in korte tijd een goede dunne oxidefilm te maken?
  4. Hoe heet de behandeling waarbij met plasma gegenereerde stikstof in het oppervlak van een dunne gate-oxidefilm wordt ingebracht?
  5. Welke algemene relatie tussen de etssnelheden van thermische oxide en met CVD afgezette oxide is juist bij etsen in dezelfde verdunde fluorwaterstofzuuroplossing?