Nederlands
Menu

Oxidatie en diffusie

Welke waarde ligt het dichtst bij de relatieve permittiviteit van met thermische oxidatie gevormde SiO2?

  1. AOngeveer 1
  2. BOngeveer 3,9
  3. COngeveer 25
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Ongeveer 3,9

De relatieve permittiviteit van thermische oxide (SiO2) is ongeveer 3,9 en vormt de referentie voor de EOT (equivalente oxidedikte) waarmee de prestaties van gate-isolatoren worden vergeleken. SiON met stikstof ligt bij 5 tot 6, nitridefilm (Si3N4) bij ongeveer 7 en het High-k-materiaal hafniumoxide bij ongeveer 20 tot 25. Low-k-materialen die tussen bedrading worden gebruikt hebben juist ongeveer 3 of minder, waarbij poreuze films met lucht (ongeveer 1) en airgaps ook worden toegepast. Naar gelang het gebruik worden hoge en lage permittiviteiten gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Oxidatie en diffusie

  1. Welke is een juiste belangrijke reden dat silicium veel als materiaal voor MOS-componenten is gebruikt?
  2. Welk probleem treedt op als de gate-oxidefilm mobiele ionen zoals natriumionen bevat?
  3. Welke n-type onzuiverheid diffundeert bij warmtebehandeling in silicium relatief langzaam en maakt het gemakkelijk ondiepe overgangen?
  4. Welke uitleg over pyrogene oxidatie (waterstofverbrandingsoxidatie) is juist?
  5. Welke richtwaarde voor de doorslagveldsterkte van goede thermische oxide (SiO2) is juist?