Nederlands
Menu

Oxidatie en diffusie

Welke richtwaarde voor de doorslagveldsterkte van goede thermische oxide (SiO2) is juist?

  1. AOngeveer 10 MV/cm
  2. BOngeveer 10 V/cm
  3. COngeveer 10 kV/cm
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Ongeveer 10 MV/cm

De doorslagveldsterkte van goede thermische oxide is ongeveer 10 MV/cm, wat voor een dikte van 10 nm betekent dat doorslag bij ongeveer 10 V optreedt. Ook bij een lager veld ontstaan echter bij langdurig aanleggen geleidelijk defecten die tot doorslag leiden (tijdsafhankelijke diëlektrische doorslag, TDDB), dus in echte componenten wordt het veld op enkele MV/cm of minder gehouden om 10 jaar mee te gaan. Bij nog dunnere films wordt de tunnelstroom groot, zodat lek eerder een probleem is dan doorslag.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Oxidatie en diffusie

  1. Welke methode laat waterstof en zuurstof dicht bij het waferoppervlak reageren om in korte tijd een goede dunne oxidefilm te maken?
  2. Hoe heet de behandeling waarbij met plasma gegenereerde stikstof in het oppervlak van een dunne gate-oxidefilm wordt ingebracht?
  3. Welke algemene relatie tussen de etssnelheden van thermische oxide en met CVD afgezette oxide is juist bij etsen in dezelfde verdunde fluorwaterstofzuuroplossing?
  4. Welke defecten ontstaan bij thermische oxidatie doordat een overmaat aan interstitieel silicium die door de oxidatie is ontstaan in het silicium wordt geïnjecteerd en daar groeit?
  5. Wat gebeurt er met de dikte van de oxidefilm die in dezelfde tijd wordt verkregen als de temperatuur van de thermische oxidatie wordt verhoogd?