Welke is een juiste belangrijke reden dat silicium veel als materiaal voor MOS-componenten is gebruikt?

Antwoord: C. Omdat door thermische oxidatie gemakkelijk een goede isolatiefilm (SiO2) met weinig grensvlaktoestanden kan worden gevormd

Silicium vormt door thermische oxidatie alleen al een SiO2-film met hoge isolatie en zeer weinig grensvlaktoestanden van ongeveer 10¹⁰ cm⁻²eV⁻¹. In vergelijking met GeO2, dat in water oplost, en samengestelde halfgeleiders, waarvan geen goed natuurlijk oxide ontstaat, is dit goede MOS-grensvlak een grote kracht van silicium, en een van de redenen dat het sinds de praktische toepassing van de MOSFET rond 1960 als materiaal voor LSI is gekozen. Ook de ruime aanwezigheid in de aardkorst is een voordeel.