Oxidatie en diffusie
Welke uitleg over 'diffusie' van onzuiverheden in de halfgeleiderproductie is juist?
- AEen methode waarbij onzuiverheden met een elektrisch veld in één richting worden versneld en ingeschoten
- BOnzuiverheden in een vloeistof oplossen en wegspoelen
- CHet verschijnsel waarbij onzuiveringsatomen zich door warmte verspreiden van plaatsen met hoge concentratie naar plaatsen met lage concentratie
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. Het verschijnsel waarbij onzuiveringsatomen zich door warmte verspreiden van plaatsen met hoge concentratie naar plaatsen met lage concentratie
Diffusie is het verschijnsel waarbij onzuiverheden zich door thermische beweging van atomen verspreiden van gebieden met hoge naar gebieden met lage concentratie, en het verloopt sneller naarmate de temperatuur hoger is. Onzuiverheden in silicium bewegen zich voort door van plaats te wisselen met vacatures (gaten waar een atoom ontbreekt) en interstitieel silicium. Vroeger werd dit verschijnsel gebruikt om onzuiverheden vanaf het oppervlak in te brengen, maar tegenwoordig vindt diffusie meestal plaats tijdens de warmtebehandeling na het inbrengen met ionenimplantatie, en is het de uitdaging die te onderdrukken.