Welke eigenschap is juist bij thermische oxidatie van polykristallijn silicium (polysilicium) met veel onzuiverheden?

Antwoord: B. Door korrelgrenzen en hoge onzuiverheidsconcentratie oxideert het vaak sneller dan monokristallijn silicium en is de kwaliteit van de oxidefilm vaak slechter

Polysilicium heeft kristalkorrels met willekeurige oriëntatie en veel korrelgrenzen, en oxideert sneller dan monokristallijn silicium, zeker bij een hoge concentratie van onder meer fosfor. Omdat de oxidatie langs korrelgrenzen voortschrijdt, wordt het grensvlak gemakkelijk ruw en concentreert het veld zich bij uitstekende delen, zodat de oxidefilm erop in kwaliteit, bijvoorbeeld doorslagspanning, tekortschiet vergeleken met thermische oxide op monokristallijn silicium. Om dit probleem te vermijden is voor de isolatiefilm boven de floating gate van flashgeheugen ONO-film gebruikt.