Nederlands
Menu

Oxidatie en diffusie

Welke relatie tussen de dikte van het veldoxide dat voor elementisolatie zoals LOCOS wordt gebruikt en de dikte van het gate-oxide van een MOSFET is in het algemeen juist?

  1. AHet gate-oxide is veel dikker
  2. BBeide hebben dezelfde dikte
  3. CHet veldoxide is veel dikker
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het veldoxide is veel dikker

Veldoxide wordt dik gemaakt, ongeveer enkele honderden nm, zodat tussen bedrading die erover loopt en het silicium geen parasitaire transistor aangaat; hoe dikker, hoe hoger de drempelspanning van de parasitaire transistor. Gate-oxide daarentegen is zeer dun, ongeveer enkele nm, om het veld van de gate sterk naar het kanaal over te brengen, zodat het verschil meer dan een factor 100 bedraagt. Op dezelfde chip worden ook dikkere gate-oxiden voor in- en uitgangen gecombineerd.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Oxidatie en diffusie

  1. Welke algemene definitie van de 'overgangsdiepte' van een pn-overgang is juist?
  2. Hoe heet het verschijnsel waarbij de diffusie van boor en fosfor tijdens het oxideren van silicium sneller is dan wanneer niet wordt geoxideerd?
  3. Welke afwijking van het Deal-Grove-model is bekend bij het maken van dunne oxidefilms van enkele tientallen nm of minder met droge oxidatie?
  4. Hoe heet het verschijnsel waarbij bij LOCOS onder het nitridemasker een dun nitride aan het siliciumoppervlak ontstaat, waardoor het latere gate-oxide plaatselijk dun of defect wordt?
  5. Wat is de belangrijkste reden dat de drukspanning van door thermische oxidatie gevormde oxidefilm bij oxidatie bij hoge temperatuur, vanaf ongeveer 950 °C, kleiner wordt?