Oxidatie en diffusie

Welk voordeel is juist van thermische oxidatie in een oxiderende atmosfeer met hoge druk?

  1. ADe oxidatiesnelheid wordt lager, zodat de dikte nauwkeurig kan worden geregeld
  2. BZelfs bij lage temperatuur kan snel worden geoxideerd, zodat onzuiverheidsdiffusie door warmte kan worden onderdrukt
  3. CDe oxidefilm wordt geleidend
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Zelfs bij lage temperatuur kan snel worden geoxideerd, zodat onzuiverheidsdiffusie door warmte kan worden onderdrukt

Bij hogere druk van het oxidatiemiddel neemt de hoeveelheid die in de oxidefilm oplost evenredig met de druk toe, zodat de oxidatiesnelheid (met name de parabolische snelheidsconstante) stijgt. Bij bijvoorbeeld 10 atmosfeer wordt de snelheid ongeveer 10 keer zo hoog, en dezelfde dikte wordt verkregen bij een veel lagere temperatuur. Onzuiverheidsdiffusie door warmte en het ontstaan van defecten zoals oxidatiegeïnduceerde stapelfouten kunnen worden onderdrukt, en het is gebruikt voor onder meer vermogenscomponenten die dikke oxidefilms nodig hebben.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Oxidatie en diffusie

  1. Welke eigenschap van radicaaloxidatie met zuurstofradicalen is juist?
  2. Waar vindt volgens het Deal-Grove-model thermische oxidatie plaats?
  3. Welke chemische reactie vindt plaats bij droge thermische oxidatie van silicium?
  4. Welk temperatuurbereik komt het dichtst bij het gangbare bereik voor thermische oxidatie van silicium?
  5. Welke uitleg over 'diffusie' van onzuiverheden in de halfgeleiderproductie is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp