Oxidatie en diffusie
Wat is het belangrijkste doel van het inbrengen van stikstof in gate-oxide om oxynitride (SiON) te maken?
- ADe doordringing van boor uit de gate-elektrode onderdrukken en de betrouwbaarheid verhogen
- BDe film geleidend maken
- CDe etssnelheid verhogen
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. De doordringing van boor uit de gate-elektrode onderdrukken en de betrouwbaarheid verhogen
Boor in een p+-polysilicium-gate dringt tijdens warmtebehandeling door het dunne gate-oxide van ongeveer 2 nm dik heen naar het kanaal en laat de drempelspanning variëren. Het inbrengen van stikstof onderdrukt de boordiffusie en verhoogt de relatieve permittiviteit van 3,9 tot ongeveer 5 à 6, zodat bij dezelfde EOT fysiek dikker kan worden gemaakt en het lek afneemt. Ook de betrouwbaarheid, zoals de weerstand tegen hot carriers, verbetert; het werd standaard gebruikt in generaties vóór High-k.