Welke defecten ontstaan bij thermische oxidatie doordat een overmaat aan interstitieel silicium die door de oxidatie is ontstaan in het silicium wordt geïnjecteerd en daar groeit?

Antwoord: B. Oxidatiegeïnduceerde stapelfouten (OSF)

Wanneer silicium wordt geoxideerd, wordt niet elk siliciumatoom in de oxidefilm opgenomen; een deel (ongeveer 1 op 1000) wordt als interstitieel silicium in het substraat vrijgegeven. Dit verzamelt zich rond kernen zoals metaalverontreiniging en zuurstofprecipitaten en groeit uit tot stapelfouten op {111}-vlakken: oxidatiegeïnduceerde stapelfouten (OSF), die lekstroom veroorzaken wanneer ze een overgang kruisen. Ze kunnen worden verminderd door chlooroxidatie en betere kristalkwaliteit van de wafer.