Welke afhankelijkheid van de oxidatiesnelheid van het kristalvlak bij thermische oxidatie van silicium is juist?

Antwoord: C. Het (111)-vlak oxideert sneller dan het (100)-vlak

Onder dezelfde omstandigheden oxideert het (111)-vlak sneller dan het (100)-vlak, met name in het gebied van dunne films waar het verschil groot is (ongeveer 1,5 keer). Dit komt doordat de atoomdichtheid aan het oppervlak hoger is en er meer bindingen beschikbaar zijn voor de oxidatiereactie. Bij structuren zoals FinFET's, waar boven- en zijvlak een verschillende oriëntatie hebben, varieert de oxidedikte van plaats tot plaats, en daarom wordt radicaaloxidatie of filmvorming met ALD gebruikt, waarbij de invloed van de oriëntatie klein is.