Hoe heet de warmtebehandeling in een waterstofhoudende atmosfeer die wordt uitgevoerd om grensvlaktoestanden aan het Si/SiO2-grensvlak te verminderen?

Antwoord: B. Forming gas anneal

Aan het Si/SiO2-grensvlak blijven grensvlaktoestanden van ongeveer 10¹¹ tot 10¹² cm⁻²eV⁻¹ over door siliciumatomen met verbroken bindingen (dangling bonds). Bij warmtebehandeling in een mengsel van waterstof en stikstof (forming gas, enkele procenten waterstof) bij ongeveer 400 tot 450 °C bindt waterstof zich aan de dangling bonds en worden de grensvlaktoestanden teruggebracht tot ongeveer 10¹⁰ cm⁻²eV⁻¹, wat de stabiliteit van de drempelspanning, de subthreshold-karakteristiek en de mobiliteit verbetert. Het is een behandeling die vaak aan het eind van het bedradingsproces plaatsvindt.