Oxidatie en diffusie
Waar vindt volgens het Deal-Grove-model thermische oxidatie plaats?
- AAan het uiterste oppervlak van de oxidefilm, waar siliciumatomen met het oxidatiemiddel reageren
- BSiliciumatomen diffunderen naar het oppervlak van de oxidefilm en reageren daar
- CHet oxidatiemiddel diffundeert door de oxidefilm en reageert aan het Si/SiO2-grensvlak met silicium
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. Het oxidatiemiddel diffundeert door de oxidefilm en reageert aan het Si/SiO2-grensvlak met silicium
In het Deal-Grove-model (1965) wordt het oxidatiemiddel uit de gasfase in het oppervlak van de oxidefilm opgenomen, diffundeert door de film en reageert aan het grensvlak met silicium, waarbij nieuwe oxidefilm ontstaat. De oxidefilm groeit dus aan de grensvlakzijde en het grensvlak is steeds een nieuw oppervlak. Naarmate de film dikker wordt, wordt de diffusieafstand langer en gaat de groei trager. Door de fluxen van deze drie stappen gelijk te stellen, worden de lineaire en de parabolische wet in één formule uitgedrukt.