Wat is de belangrijkste reden dat de drukspanning van door thermische oxidatie gevormde oxidefilm bij oxidatie bij hoge temperatuur, vanaf ongeveer 950 °C, kleiner wordt?

Antwoord: A. Omdat de oxidefilm bij hoge temperatuur viskeus kan vloeien en de spanning kan ontspannen

Wanneer silicium SiO2 wordt, zet het volume ongeveer 2,2 keer uit, zodat de oxidefilm onder drukspanning staat. Bij hoge temperaturen vanaf ongeveer 950 °C kan amorf SiO2 langzaam stromen (viskeus vloeien), zodat de spanning ontspant. Bij oxidatie bij lage temperatuur blijft de spanning gemakkelijk bestaan, en bij uitstekende delen zoals de hoeken van STI-gleuven wordt de oxidatie door de spanning vertraagd, zodat de hoek scherp wordt, het veld zich concentreert en de eigenschappen verslechteren; daarom worden hoeken afgerond met oxidatie bij hoge temperatuur of ISSG.