Nederlands
Menu

Oxidatie en diffusie

Welke afwijking van het Deal-Grove-model is bekend bij het maken van dunne oxidefilms van enkele tientallen nm of minder met droge oxidatie?

  1. ADe initiële oxidatie verloopt sneller dan het model voorspelt
  2. BEr vindt helemaal geen oxidatie plaats
  3. CDe oxidefilm wordt een geleider
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De initiële oxidatie verloopt sneller dan het model voorspelt

Het Deal-Grove-model beschrijft de groei van dikke oxidefilms goed, maar bij droge oxidatie verloopt de feitelijke oxidatie in het beginstadium, bij een dikte van enkele tientallen nm of minder, sneller dan het model voorspelt. Als oorzaken worden een andere route van het oxidatiemiddel door de dunne film en de invloed van spanning nabij het grensvlak beschouwd. In het model wordt dit gecorrigeerd met een initiële dikte (τ, gelijk aan ongeveer 20 nm), maar om de dikte van enkele nm dunne gate-oxiden te bepalen is het onmisbaar de omstandigheden door metingen vast te stellen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Oxidatie en diffusie

  1. Hoe heet het verschijnsel waarbij bij LOCOS onder het nitridemasker een dun nitride aan het siliciumoppervlak ontstaat, waardoor het latere gate-oxide plaatselijk dun of defect wordt?
  2. Wat is de belangrijkste reden dat de drukspanning van door thermische oxidatie gevormde oxidefilm bij oxidatie bij hoge temperatuur, vanaf ongeveer 950 °C, kleiner wordt?
  3. Wat is de juiste reden dat SiO2-film als masker voor diffusie van boor en fosfor kan worden gebruikt, maar nauwelijks als masker voor gallium en aluminium werkt?
  4. Welke uitleg is juist over het verschijnsel dat de diffusiecoëfficiënt van bijvoorbeeld arseen met de concentratie verandert in gebieden waar de onzuiverheidsconcentratie voldoende hoger is dan de intrinsieke dragerdichtheid?
  5. Welke eigenschap is juist bij thermische oxidatie van polykristallijn silicium (polysilicium) met veel onzuiverheden?

Vergelijkingen bij dit onderwerp