Welk gangbaar gebruik van thermische oxidefilm van silicium is juist?

Antwoord: B. Gate-isolator, isolatie tussen elementen en masker dat bepaalt waar onzuiverheden worden ingebracht

Met thermische oxidatie gemaakt SiO2 heeft een hoge isolatie en een goede grensvlakkwaliteit met silicium, en is gebruikt voor de gate-isolator van MOSFET's, de isolatie die elementen elektrisch scheidt (LOCOS, liner van STI), maskers voor ionenimplantatie en diffusie, en oppervlaktebescherming bij implantatie. In geavanceerde gates is het door High-k-films vervangen, maar voor de grenslaag eronder wordt nog steeds zeer dun SiO2 gebruikt.