Nederlands
Menu

Oxidatie en diffusie

Welk temperatuurbereik komt het dichtst bij het gangbare bereik voor thermische oxidatie van silicium?

  1. AOngeveer 100 tot 200 °C
  2. BOngeveer 800 tot 1.200 °C
  3. COngeveer 2.000 tot 3.000 °C
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Ongeveer 800 tot 1.200 °C

Thermische oxidatie van silicium wordt gewoonlijk bij ongeveer 800 tot 1.200 °C uitgevoerd en verloopt sneller naarmate de temperatuur hoger is. Het smeltpunt van silicium is ongeveer 1.414 °C, dus de temperatuur ligt ruim daaronder. Ook bij kamertemperatuur vormt zich op het siliciumoppervlak direct een natuurlijke oxidefilm van ongeveer 1 nm, maar die groeit daarna nauwelijks verder. In geavanceerde processen wordt, om het thermisch budget te beperken, ook steeds vaker bij lagere temperatuur geoxideerd, bijvoorbeeld met radicaaloxidatie.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Oxidatie en diffusie

  1. Welke uitleg over 'diffusie' van onzuiverheden in de halfgeleiderproductie is juist?
  2. Welk gangbaar gebruik van thermische oxidefilm van silicium is juist?
  3. Welke eenheid van de diffusiecoëfficiënt D is juist?
  4. Welke inhoud van de eerste wet van Fick is juist? (J: diffusieflux, D: diffusiecoëfficiënt, C: concentratie, x: positie)
  5. Hoeveel keer zo groot wordt de afstand waarover onzuiverheden zich verspreiden ongeveer wanneer de diffusietijd bij dezelfde temperatuur 4 keer zo lang wordt?

Vergelijkingen bij dit onderwerp