Oxidatie en diffusie
Welke algemene definitie van de 'overgangsdiepte' van een pn-overgang is juist?
- ADe diepte vanaf het oppervlak tot de positie waar de onzuiverheidsconcentratie maximaal is
- BDe diepte waarop de concentratie van de gediffundeerde onzuiverheid gelijk is aan de oorspronkelijke onzuiverheidsconcentratie van het substraat
- CDe diepte van de helft van de dikte van de wafer
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. De diepte waarop de concentratie van de gediffundeerde onzuiverheid gelijk is aan de oorspronkelijke onzuiverheidsconcentratie van het substraat
De concentratie van vanaf het oppervlak ingebrachte onzuiverheden neemt met de diepte af en wordt op zekere diepte gelijk aan de concentratie van de van oudsher aanwezige onzuiverheid van het tegengestelde geleidingstype in het substraat. Op deze diepte is de netto onzuiverheidsconcentratie 0 en wisselt het geleidingstype, en daarom heet het de overgangsdiepte. Bij de extensies van source en drain van kleine transistors zijn ondiepe overgangen van ongeveer 10 tot 20 nm nodig, wat belangrijk is om korte-kanaaleffecten te onderdrukken.