Oxidatie en diffusie
Welke eigenschap van radicaaloxidatie met zuurstofradicalen is juist?
- AOok bij relatief lage temperatuur kan een goede oxidefilm worden gemaakt en het verschil in oxidatiesnelheid door kristaloriëntatie is klein
- BEr is altijd een hoge temperatuur van 1200 °C of meer nodig
- CDe dikte van de oxidefilm verschilt sterk per kristaloriëntatie
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. Ook bij relatief lage temperatuur kan een goede oxidefilm worden gemaakt en het verschil in oxidatiesnelheid door kristaloriëntatie is klein
Zuurstofradicalen die onder meer met plasma worden gemaakt zijn zeer reactief, dus ook bij relatief lage temperaturen van ongeveer 400 tot 600 °C kan een goede oxidefilm worden gevormd die dicht bij thermische oxidatie ligt. Vergeleken met gewone thermische oxidatie zijn het verschil in oxidatiesnelheid door kristaloriëntatie en de vertraging van de oxidatie bij hoeken klein, en ook nitridefilms kunnen worden geoxideerd, zodat het wordt gebruikt voor oxidatie van driedimensionale structuren zoals de fins van FinFET's en 3D NAND, en voor processen met een strikt thermisch budget.