Wat gebeurt er met de boorconcentratie aan de siliciumzijde nabij het grensvlak bij thermische oxidatie van boorhoudend silicium?

Antwoord: A. Deze neemt af, doordat boor gemakkelijk in de oxidefilm wordt opgenomen

Op het grensvlak tussen silicium en SiO2 ligt de verhouding van de concentraties aan beide zijden (segregatiecoëfficiënt m = in silicium/in SiO2) vast. Boor wordt met m ≈ 0,3 gemakkelijk in de oxidefilm opgenomen, dus de concentratie aan de siliciumzijde nabij het oppervlak daalt (pile-down). Fosfor en arseen met m ≈ 10 dringen moeilijk in de oxidefilm door en worden naar de siliciumzijde geduwd, zodat de concentratie nabij het grensvlak stijgt (pile-up). Hiermee wordt rekening gehouden bij het ontwerp van de drempelspanning en de kanaalconcentratie.