Oxidatie en diffusie

Wat is de juiste reden dat SiO2-film als masker voor diffusie van boor en fosfor kan worden gebruikt, maar nauwelijks als masker voor gallium en aluminium werkt?

  1. AOmdat SiO2 met gallium en aluminium reageert en een geleider wordt
  2. BOmdat gallium en aluminium zeer snel in SiO2 diffunderen
  3. COmdat gallium en aluminium in silicium elektrisch inactief zijn
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Omdat gallium en aluminium zeer snel in SiO2 diffunderen

Boor en fosfor diffunderen in SiO2 veel langzamer dan in silicium, dus een oxidefilm kan ze tegenhouden. Gallium en aluminium diffunderen daarentegen snel door SiO2 en zijn daarom niet geschikt voor selectieve diffusie met een oxidefilm als masker. Aluminium wordt, omdat het een lage oplosbaarheid heeft en snel tot grote diepte diffundeert, soms gebruikt voor diepe overgangen van vermogenscomponenten. Het is een van de redenen dat voor p-type onzuiverheid in silicium voornamelijk boor wordt gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Oxidatie en diffusie

  1. Welke uitleg is juist over het verschijnsel dat de diffusiecoëfficiënt van bijvoorbeeld arseen met de concentratie verandert in gebieden waar de onzuiverheidsconcentratie voldoende hoger is dan de intrinsieke dragerdichtheid?
  2. Welke eigenschap is juist bij thermische oxidatie van polykristallijn silicium (polysilicium) met veel onzuiverheden?
  3. Welke vergelijking van droge oxidatie (O2) en natte oxidatie (H2O) bij thermische oxidatie van silicium is juist?
  4. Hoeveel silicium wordt ongeveer verbruikt wanneer een SiO2-film met dikte x door thermische oxidatie van silicium wordt gevormd?
  5. Welke relatie tussen de diffusiecoëfficiënt van onzuiverheden in silicium en de temperatuur is juist?