Oxidatie en diffusie
Wat is de juiste reden dat thermisch oxide kan worden gebruikt als masker voor onzuiverheden bij diffusie?
- AOmdat veel onzuiverheden zoals boor en fosfor in SiO2 moeilijker diffunderen dan in silicium
- BOmdat SiO2 elektriciteit goed geleidt
- COmdat SiO2 geen licht doorlaat
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. Omdat veel onzuiverheden zoals boor en fosfor in SiO2 moeilijker diffunderen dan in silicium
Belangrijke onzuiverheden zoals boor, fosfor en arseen diffunderen in SiO2 ordes van grootte langzamer dan in silicium, dus een voldoende dikke oxidefilm (ongeveer enkele honderden nm) voorkomt dat ze het onderliggende silicium binnendringen. Hierop is de planaire technologie gebaseerd waarbij alleen via vensters in de oxidefilm onzuiverheden worden ingebracht; deze werd in 1959 bij Fairchild ontwikkeld en leidde tot de geboorte van de geïntegreerde schakeling. Bij de huidige ionenimplantatie dient voornamelijk resist als masker.