Nederlands
Menu

Oxidatie en diffusie

Welke algemene relatie tussen de etssnelheden van thermische oxide en met CVD afgezette oxide is juist bij etsen in dezelfde verdunde fluorwaterstofzuuroplossing?

  1. AThermische oxide is langzamer (dichter)
  2. BThermische oxide is sneller
  3. CBeide worden altijd even snel geëtst
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Thermische oxide is langzamer (dichter)

Thermische oxide is dicht en heeft weinig defecten, dus de etssnelheid in verdund fluorwaterstofzuur (bijvoorbeeld 1%) is met enkele nm per minuut laag. CVD-oxide heeft afhankelijk van de afzettingsomstandigheden een lage dichtheid of bevat waterstof en vocht, en wordt daardoor over het algemeen sneller geëtst. De verhouding van de etssnelheid ten opzichte van thermische oxide (WERR) wordt gebruikt als maat voor de filmkwaliteit en nadert die van thermische oxide wanneer door gloeien wordt verdicht.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Oxidatie en diffusie

  1. Welke defecten ontstaan bij thermische oxidatie doordat een overmaat aan interstitieel silicium die door de oxidatie is ontstaan in het silicium wordt geïnjecteerd en daar groeit?
  2. Wat gebeurt er met de dikte van de oxidefilm die in dezelfde tijd wordt verkregen als de temperatuur van de thermische oxidatie wordt verhoogd?
  3. Hoe heet bij LOCOS (selectieve oxidatie) het verschijnsel waarbij de oxidefilm onder de rand van het nitridemasker als een vogelsnavel indringt?
  4. Welk voordeel is juist van thermische oxidatie in een oxiderende atmosfeer met hoge druk?
  5. Welke eigenschap van radicaaloxidatie met zuurstofradicalen is juist?

Vergelijkingen bij dit onderwerp