Nederlands
Menu

Oxidatie en diffusie

Welke methode laat waterstof en zuurstof dicht bij het waferoppervlak reageren om in korte tijd een goede dunne oxidefilm te maken?

  1. ASputteren
  2. BISSG-oxidatie (in-situ steam generation)
  3. CAtoomlaagetsen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. ISSG-oxidatie (in-situ steam generation)

Bij ISSG-oxidatie laat men in een kamer die tot ongeveer 1000 Pa is verlaagd een kleine hoeveelheid waterstof en zuurstof alleen vlak bij het oppervlak van de verhitte wafer reageren. De ontstane zuurstofradicalen (O) zijn zeer reactief en vormen in korte tijd een dichte dunne oxidefilm met een goed grensvlak. Het verschil in snelheid door kristaloriëntatie is klein en ook de hoeken van STI-gleuven worden afgerond en gelijkmatig geoxideerd, dus het wordt gebruikt voor lineroxiden, gate-oxiden en heroxidatie van nitridefilms.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Oxidatie en diffusie

  1. Hoe heet de behandeling waarbij met plasma gegenereerde stikstof in het oppervlak van een dunne gate-oxidefilm wordt ingebracht?
  2. Welke algemene relatie tussen de etssnelheden van thermische oxide en met CVD afgezette oxide is juist bij etsen in dezelfde verdunde fluorwaterstofzuuroplossing?
  3. Welke defecten ontstaan bij thermische oxidatie doordat een overmaat aan interstitieel silicium die door de oxidatie is ontstaan in het silicium wordt geïnjecteerd en daar groeit?
  4. Wat gebeurt er met de dikte van de oxidefilm die in dezelfde tijd wordt verkregen als de temperatuur van de thermische oxidatie wordt verhoogd?
  5. Hoe heet bij LOCOS (selectieve oxidatie) het verschijnsel waarbij de oxidefilm onder de rand van het nitridemasker als een vogelsnavel indringt?