Metrologie en analyse
Controleer met meerkeuzevragen de basis van meet- en analysetechnieken voor halfgeleiders, zoals SEM en TEM, ellipsometrie, SIMS en de vierpuntsmethode.
—Uw score
0 / 50Beantwoorde vragen
Oefen 10 vragenWillekeurige vragen uit dit onderwerp · ongeveer 5 minuten
Dit onderwerp oefenenAlle vragen over dit onderwerp in willekeurige volgorde
Zwakke vragenAlleen de laatst fout beantwoorde vragen opnieuw oefenen
Metrologie en analyse: kernpunten
Bij de productie van halfgeleiders worden lijnbreedte, laagdikte, onzuiverheidsconcentratie en defecten gemeten om te controleren of de processen correct verlopen. Naarmate de miniaturisatie voortschrijdt, is nauwkeurige meting op nanometerschaal nodig.
Afhankelijk van het doel worden verschillende methoden gebruikt: vormobservatie met elektronenmicroscopie (SEM en TEM), laagdiktemeting met licht (ellipsometrie), meting van de onzuiverheidsverdeling met secundaire-ionenmassaspectrometrie (SIMS) en meting van de laagweerstand met de vierpuntsmethode.
Alle vragen over Metrologie en analyse (50)
- Welke uitspraak over het principe van de scanning-elektronenmicroscoop (SEM) is juist?
- Wat wordt hoofdzakelijk gemeten met ellipsometrie (spectroscopische ellipsometrie)?
- Welke uitspraak over SIMS (secundaire-ionen-massaspectrometrie) is juist?
- Wat wordt hoofdzakelijk gemeten met de vierpuntsmethode?
- Welke voorbehandeling is nodig om een monster met een transmissie-elektronenmicroscoop (TEM) te bekijken?
- Welk principe wordt gewoonlijk gebruikt in defectinspectieapparatuur die deeltjes en patroondefecten op wafers detecteert?
- Wat wordt hoofdzakelijk gemeten met een atoomkrachtmicroscoop (AFM)?
- Wat is te weten te komen met EDX (energiedispersieve röntgenspectroscopie), dat samen met SEM of TEM wordt gebruikt?
- Welke methode wordt veel gebruikt voor de analyse van sporen van metaalverontreiniging op het waferoppervlak?
- Wat kan worden beoordeeld met C-V-metingen (capaciteit-spanning) van een MOS-condensator?
- Hoe heet de metrologie waarbij licht op een periodiek patroon valt en het spectrum van gereflecteerd en gediffracteerd licht met een model wordt vergeleken om lijnbreedte en doorsnedevorm te bepalen?
- Wat kan hoofdzakelijk worden beoordeeld met röntgendiffractie (XRD)?
- Wat is het belangrijkste gebruik van een apparaat met gefocusseerde ionenbundel (FIB)?
- Welke analysemethode onderzoekt de elementen en chemische bindingstoestand aan het oppervlak uit de energie van fotoelektronen die bij röntgenbestraling vrijkomen?
- Welke analysemethode detecteert het zwakke licht dat een defecte plek tijdens bedrijf uitzendt om de foutplek van een LSI te lokaliseren?
- Hoe heet het verschijnsel waarbij bij het meten met een CD-SEM van ArF-resistpatronen het patroon door de elektronenbestraling krimpt?
- Wat wordt op de wafer aangebracht om de overlay-afwijking te meten?
- Welke methode bepaalt de dikte en dichtheid van een dunne film uit de oscillaties in de reflectiviteit bij zeer ondiep invallende röntgenstraling?
- Welke methode wordt juist gebruikt om kromming (bow en warp) en vlakheid van wafers te meten?
- Welke methode beoordeelt of herhaalbaarheid en reproduceerbaarheid van een meetinstrument voldoende klein zijn ten opzichte van de spreiding van het te beheersen proces?
- Wat is de belangrijkste reden dat fijne patronen van enkele tientallen nm niet rechtstreeks met een optische microscoop kunnen worden waargenomen?
- Welke relatie wordt gebruikt om uit de verandering van de waferkromming voor en na laagafzetting de filmspanning te bepalen?
- SIMS meet de concentratie van onzuiverheidsatomen. Welke methode meet daarentegen de diepteverdeling van de elektrisch actieve dragerconcentratie?
- Hoe heet metrologie waarbij productwafers halverwege een proces in de productielijn worden gemeten om het proces te bewaken?
- Welke inspectie detecteert onder meer geleidingsdefecten van contacten met behulp van helderheidsverschillen door verschillen in oplading bij bestraling met een elektronenbundel?
- Welke methode voorkomt opladen (charge-up) bij het waarnemen van isolerende monsters met een SEM?
- Welke technologie wordt onderzocht en ingevoerd om de vorm van diepe gaten enz. driedimensionaal te meten zonder de doorsnede te vernietigen?
- Welke methode wordt gebruikt om de concentratie interstitieel zuurstof in silicium te meten?
- Welke methode meet contactloos de levensduur van ladingdragers in een wafer en beoordeelt zo onder meer metaalverontreiniging?
- Welke functie fotografeert bij inspectie gevonden defecten met SEM en classificeert automatisch het defecttype uit het beeld?
- Wat is het gangbare verschil tussen 'metrologie' en 'inspectie' in een halfgeleiderproductielijn?
- Wat is het belangrijkste doel van meten en inspecteren halverwege het proces in een productielijn?
- Wat is de belangrijkste reden dat bij metrologie in de productielijn vaak een deel wordt gemeten in plaats van alle wafers en alle punten?
- Welke uitspraak over de methode waarbij de wafer wordt gebroken of afgeschraapt en daarna bekeken, om de vorm van de doorsnede nauwkeurig te onderzoeken, is juist?
- Welke combinatie van termen is juist voor de prestaties van een meetinstrument: 'bij herhaald meten van hetzelfde is de spreiding van de waarden klein' en 'de gemeten waarde ligt dicht bij de ware waarde'?
- Welke spectroscopische methode wordt veel gebruikt om de spanning (rek) in silicium lokaal en niet-destructief te beoordelen?
- Welke methode wordt gebruikt om holtes in soldeerverbindingen in een behuizing en de vorm van draden driedimensionaal waar te nemen zonder de behuizing te vernietigen?
- Welk apparaat wordt veel gebruikt om niet-destructief delaminatie aan grensvlakken tussen inkapselingskunststof en chip enz. in de behuizing te vinden?
- Welke methode meet, om de kwaliteit van wafers en epilagen van samengestelde halfgeleiders contactloos te beoordelen, het spectrum en de intensiteitsverdeling van het licht dat na laserbestraling wordt uitgezonden?
- Welke eigenschap van de donkerveldmethode, die alleen verstrooid licht opvangt, is juist in vergelijking met de lichtveldmethode die het patroonbeeld rechtstreeks bekijkt, bij defectinspectieapparatuur voor wafers?
- Welk apparaat tast het monsteroppervlak af met een dunne naald en meet uit de op- en neerwaartse beweging van de naald de staphoogte en de oppervlaktevorm?
- Hoe heet de methode waarbij laagdikte of afmetingen van niet gemeten wafers met een statistisch model worden voorspeld uit onder meer sensorgegevens van de apparatuur?
- Wat veroorzaakt gemakkelijk meetfouten wanneer met AFM de vorm van zeer smalle grachten of steile zijwanden wordt gemeten?
- Welke methode onderzoekt in een TEM, terwijl een fijne elektronenbundel scant, de verdeling van elementen en chemische toestanden door het energieverlies van getransmitteerde elektronen te meten?
- Welke analysemethode laat atomen één voor één door een elektrisch veld van de punt van een naaldvormig monster verdampen, detecteert hun positie en soort, en onderzoekt zo de driedimensionale atoomverdeling van onder meer dopanten?
- Welke methode beoordeelt de elektrische eigenschappen van oxidefilms en grensvlakken door zonder elektroden lading met een coronaontlading op het waferoppervlak aan te brengen en de verandering van de oppervlaktepotentiaal te meten?
- Welke methode detecteert de kleine warmteontwikkeling van een werkende chip met hoge gevoeligheid door het toegevoerde vermogen periodiek te variëren en gesynchroniseerde warmtebeelden op te tellen, en lokaliseert zo de foutplek?
- Welke methode stuurt snelle pulsen door de bedrading van een behuizing of substraat en bepaalt uit de gereflecteerde golfvorm de plaats van een onderbreking of kortsluiting?
- Wat is de juiste reden dat detectie bij optische defectinspectie ineens veel moeilijker wordt naarmate deeltjes kleiner worden?
- Hoe heet de benadering waarbij gegevens van meerdere verschillende meetmethoden (optisch, CD-SEM, AFM enz.) worden gecombineerd om afmetingen en vorm nauwkeuriger te bepalen dan met één methode alleen?