Wat kan worden beoordeeld met C-V-metingen (capaciteit-spanning) van een MOS-condensator?

Antwoord: B. Oxidedikte, grensvlaktoestanden, onzuiverheidsconcentratie van het substraat enz.

Wanneer de capaciteit van een MOS-condensator wordt gemeten terwijl de aangelegde spanning wordt gevarieerd, verandert de capaciteit al naargelang accumulatie, depletie of inversie. Uit de maximale capaciteit Cox aan de accumulatiezijde volgt de oxidedikte als tox = εox·A/Cox; uit de ligging van de curve volgen de flat-band-spanning en de lading in de film, uit het uitgerekt zijn van de curve de dichtheid van grensvlaktoestanden en uit de helling aan de depletiezijde de onzuiverheidsconcentratie van het substraat. Lijnbreedte en aantal deeltjes zijn hieruit niet te bepalen.