Nederlands
Menu

Metrologie en analyse

Welke methode wordt veel gebruikt voor de analyse van sporen van metaalverontreiniging op het waferoppervlak?

  1. ATotale-reflectie-röntgenfluorescentie-analyse (TXRF)
  2. BVierpuntsmethode
  3. CEllipsometrie
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Totale-reflectie-röntgenfluorescentie-analyse (TXRF)

Bij TXRF valt röntgenstraling onder een zeer ondiepe hoek van ongeveer 0,1° op het waferoppervlak en wordt totaal gereflecteerd; de fluorescentie-röntgenstraling van atomen nabij het oppervlak wordt gemeten. Omdat de röntgenstraling niet in het materiaal doordringt en het signaal van het substraat klein is, kunnen sporen metaal in de orde van 10⁹ tot 10¹⁰ atomen/cm² niet-destructief worden gedetecteerd. Als de oxidefilm aan het oppervlak eerst met fluorwaterstofdamp wordt opgelost en op één punt wordt verzameld voordat wordt gemeten, neemt de gevoeligheid verder toe. Met de vierpuntsmethode of ellipsometrie is verontreiniging niet te zien.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Metrologie en analyse

  1. Wat kan worden beoordeeld met C-V-metingen (capaciteit-spanning) van een MOS-condensator?
  2. Hoe heet de metrologie waarbij licht op een periodiek patroon valt en het spectrum van gereflecteerd en gediffracteerd licht met een model wordt vergeleken om lijnbreedte en doorsnedevorm te bepalen?
  3. Wat kan hoofdzakelijk worden beoordeeld met röntgendiffractie (XRD)?
  4. Wat is het belangrijkste gebruik van een apparaat met gefocusseerde ionenbundel (FIB)?
  5. Welke analysemethode onderzoekt de elementen en chemische bindingstoestand aan het oppervlak uit de energie van fotoelektronen die bij röntgenbestraling vrijkomen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp