Metrologie en analyse

Welk principe wordt gewoonlijk gebruikt in defectinspectieapparatuur die deeltjes en patroondefecten op wafers detecteert?

  1. AHet detecteren van verstrooid licht bij belichting en het vergelijken van beelden van naburige dies
  2. BVerandering van het gewicht van de wafer
  3. CHet geluid bij het tikken op de wafer
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Het detecteren van verstrooid licht bij belichting en het vergelijken van beelden van naburige dies

Wanneer een deeltje aanwezig is, verstrooit het ingestraalde licht, zodat deeltjes worden gevonden door het verstrooide licht te detecteren. Patroondefecten worden gevonden door het beeld te vergelijken met dat van een naburige die met hetzelfde patroon; plaatsen met een verschil zijn defecten. Bij vergelijking van twee dies is niet te bepalen welke slecht is, dus worden drie dies vergeleken en wordt met meerderheid beslist. Gedetecteerde defecten worden met een review-SEM gedetailleerd bekeken en geclassificeerd. Aan gewicht of geluid zijn defecten niet te herkennen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Metrologie en analyse

  1. Wat wordt hoofdzakelijk gemeten met een atoomkrachtmicroscoop (AFM)?
  2. Wat is te weten te komen met EDX (energiedispersieve röntgenspectroscopie), dat samen met SEM of TEM wordt gebruikt?
  3. Welke methode wordt veel gebruikt voor de analyse van sporen van metaalverontreiniging op het waferoppervlak?
  4. Wat kan worden beoordeeld met C-V-metingen (capaciteit-spanning) van een MOS-condensator?
  5. Hoe heet de metrologie waarbij licht op een periodiek patroon valt en het spectrum van gereflecteerd en gediffracteerd licht met een model wordt vergeleken om lijnbreedte en doorsnedevorm te bepalen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp