Metrologie en analyse
Welke uitspraak over SIMS (secundaire-ionen-massaspectrometrie) is juist?
- AElementen worden onderzocht met karakteristieke röntgenstraling die ontstaat bij bestraling met elektronen
- BDe laagdikte wordt gemeten uit de reflectie van licht
- CHet monster wordt met primaire ionen afgeschraapt terwijl de vrijkomende secundaire ionen massaspectrometrisch worden geanalyseerd om de diepteverdeling van onzuiverheden te onderzoeken
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. Het monster wordt met primaire ionen afgeschraapt terwijl de vrijkomende secundaire ionen massaspectrometrisch worden geanalyseerd om de diepteverdeling van onzuiverheden te onderzoeken
Bij SIMS wordt het monsteroppervlak met primaire ionen van bijvoorbeeld cesium of zuurstof beschoten en stap voor stap weggesputterd, waarna de vrijkomende secundaire ionen massaspectrometrisch worden geanalyseerd. Door tijdens het afschrapen te blijven meten kan de diepteverdeling van de onzuiverheidsconcentratie worden gemeten, voor sommige elementen met een gevoeligheid tot ongeveer ppb. Het wordt veel gebruikt voor de evaluatie van ionenimplantatie en diffusie, maar is een destructieve analyse omdat het monster wordt afgeschraapt. Elementen onderzoeken met karakteristieke röntgenstraling is EDX, en de laagdikte meten met reflectie is een optische methode.