Metrologie en analyse

Welke analysemethode onderzoekt de elementen en chemische bindingstoestand aan het oppervlak uit de energie van fotoelektronen die bij röntgenbestraling vrijkomen?

  1. AAtoomkrachtmicroscopie (AFM)
  2. BXPS (röntgenfotoëlektronspectroscopie)
  3. CVierpuntsmethode
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. XPS (röntgenfotoëlektronspectroscopie)

XPS meet de kinetische energie van fotoelektronen die bij röntgenbestraling uit het oppervlak vrijkomen en onderzoekt aan de hand van de daaruit bepaalde bindingsenergie het soort element en de chemische bindingstoestand. Zelfs bij hetzelfde Si ligt de waarde voor elementair Si bij ongeveer 99 eV en voor SiO2 bij ongeveer 103 eV, zodat de mate van oxidatie te zien is. Omdat fotoelektronen alleen uit een diepte van enkele nm kunnen ontsnappen, is het geschikt voor de evaluatie van dunne films, grensvlakken en oppervlaktebehandelingen. AFM meet de vorm en de vierpuntsmethode de weerstand.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Metrologie en analyse

  1. Welke analysemethode detecteert het zwakke licht dat een defecte plek tijdens bedrijf uitzendt om de foutplek van een LSI te lokaliseren?
  2. Hoe heet het verschijnsel waarbij bij het meten met een CD-SEM van ArF-resistpatronen het patroon door de elektronenbestraling krimpt?
  3. Wat wordt op de wafer aangebracht om de overlay-afwijking te meten?
  4. Welke methode bepaalt de dikte en dichtheid van een dunne film uit de oscillaties in de reflectiviteit bij zeer ondiep invallende röntgenstraling?
  5. Welke methode wordt juist gebruikt om kromming (bow en warp) en vlakheid van wafers te meten?

Vergelijkingen bij dit onderwerp