CMP와 세정

STI 형성 CMP에서 실리콘 질화막에 대한 산화막의 연마 선택비를 높이기 위해 자주 사용되는 연마 입자는?

  1. A세리아(산화세륨)
  2. B철 분말
  3. C다이아몬드 거친 입자
정답과 해설 보기

정답: A. 세리아(산화세륨)

세리아(산화세륨)는 산화막과 화학적으로 결합하여 효율적으로 깎이는 한편, 첨가제(아미노산 등의 계면활성제)가 질화막 표면에 흡착하여 연마를 억제하므로, 질화막에 대한 산화막의 연마 선택비를 수십~100 이상으로 높일 수 있습니다. 질화막을 스토퍼로 사용하는 STI의 CMP에서 평탄도와 연마 정지 용이성을 동시에 확보하기 위해 사용됩니다. 적은 입자로도 빠르게 연마할 수 있다는 것도 특징입니다.

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