CMP와 세정

CMP 장비의 기본 구성으로 올바른 것은?

  1. A웨이퍼를 진공 중에서 이온 빔으로 깎는다
  2. B웨이퍼를 약액에 담가 녹이기만 한다
  3. C회전하는 정반에 부착한 연마 패드에, 연마 헤드로 잡은 웨이퍼를 눌러 슬러리를 공급하면서 연마한다
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정답: C. 회전하는 정반에 부착한 연마 패드에, 연마 헤드로 잡은 웨이퍼를 눌러 슬러리를 공급하면서 연마한다

CMP 장비에서는 연마 패드를 붙인 직경 70~80 cm 정도의 정반(플래튼)을 회전시키고, 연마 헤드로 잡은 웨이퍼를 아래로 눌러 헤드도 함께 회전시킵니다. 슬러리를 공급하여 화학 작용과 기계적 연마를 결합해 표면을 깎으며, 패드 표면은 드레서로 정돈합니다. 한 대의 장비에 여러 개의 정반과 세정·건조부를 갖추고 있어, 단계별 연마부터 건조된 웨이퍼의 반출까지 연속으로 수행합니다.

  • A. 이온 빔으로 깎는 것은 이온 밀링 등입니다.
  • B. 약액에 담그기만 하는 것은 습식 식각입니다.
  • C. 올바릅니다. 회전하는 패드에 웨이퍼를 눌러 슬러리로 연마합니다.
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