CMP와 세정
CMP 장비의 기본 구성으로 올바른 것은?
- A웨이퍼를 진공 중에서 이온 빔으로 깎는다
- B웨이퍼를 약액에 담가 녹이기만 한다
- C회전하는 정반에 부착한 연마 패드에, 연마 헤드로 잡은 웨이퍼를 눌러 슬러리를 공급하면서 연마한다
정답과 해설 보기
정답: C. 회전하는 정반에 부착한 연마 패드에, 연마 헤드로 잡은 웨이퍼를 눌러 슬러리를 공급하면서 연마한다
CMP 장비에서는 연마 패드를 붙인 직경 70~80 cm 정도의 정반(플래튼)을 회전시키고, 연마 헤드로 잡은 웨이퍼를 아래로 눌러 헤드도 함께 회전시킵니다. 슬러리를 공급하여 화학 작용과 기계적 연마를 결합해 표면을 깎으며, 패드 표면은 드레서로 정돈합니다. 한 대의 장비에 여러 개의 정반과 세정·건조부를 갖추고 있어, 단계별 연마부터 건조된 웨이퍼의 반출까지 연속으로 수행합니다.
- A. 이온 빔으로 깎는 것은 이온 밀링 등입니다.
- B. 약액에 담그기만 하는 것은 습식 식각입니다.
- C. 올바릅니다. 회전하는 패드에 웨이퍼를 눌러 슬러리로 연마합니다.