CMP와 세정

희석 불산(DHF)을 이용한 세정의 주된 목적은?

  1. A유기물 제거
  2. B금속막 증착
  3. C자연 산화막 제거
정답과 해설 보기

정답: C. 자연 산화막 제거

불산은 SiO2를 녹이므로, 0.5~1% 정도의 희석 불산으로 수십 초 처리하면 실리콘 표면의 약 1 nm 자연 산화막을 제거할 수 있습니다. 처리 후 실리콘 표면은 수소로 종단되어 소수성이 되며, 물이 튕겨 나가는 것으로 제거를 확인할 수 있습니다. 게이트 산화, 에피택시 성장, 실리사이드 형성 직전에 자주 수행되는 처리입니다. 유기물과 파티클 제거에는 SC-1, 금속 오염 제거에는 SC-2가 사용됩니다.

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