CMP와 세정

세정으로 제거하는 대상인 웨이퍼 표면 오염의 종류 조합으로 올바른 것은?

  1. A빛·소리·열
  2. B전자·정공·이온 주입한 불순물
  3. C파티클·금속 오염·유기물 오염·자연 산화막 등
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정답: C. 파티클·금속 오염·유기물 오염·자연 산화막 등

세정으로 제거하는 오염에는 미세한 입자(파티클), 철·구리·나트륨 등의 금속 오염, 레지스트 잔류물이나 대기 중 가스에서 부착되는 유기물, 불필요한 자연 산화막, 표면의 마이크로 러프니스 등이 있습니다. 각각에 적합한 약액(SC-1, SC-2, SPM, 희석 불산 등)과 물리적인 힘(브러시, 메가소닉)을 조합하여 제거하며, 동시에 재료를 손상시키지 않는 것도 요구됩니다.

  • A. 빛·소리·열은 오염이 아닙니다.
  • B. 캐리어나 의도적으로 넣은 불순물은 세정의 대상이 아닙니다.
  • C. 올바릅니다. 파티클·금속·유기물·자연 산화막 등입니다.
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