CMP와 세정

CMP 후 세정에서 특히 제거해야 하는 것은?

  1. A포토레지스트막
  2. B웨이퍼 표면에 남은 슬러리의 연마 입자와 금속 오염
  3. C하부 산화막 전체
정답과 해설 보기

정답: B. 웨이퍼 표면에 남은 슬러리의 연마 입자와 금속 오염

CMP 후 웨이퍼 표면에는 슬러리의 연마 입자(웨이퍼 1장당 수백만 개 이상 부착되기도 함), 연마 부스러기, 구리 등의 금속 이온, 부식 방지제 유기물이 남아 있습니다. 이들은 배선 단락이나 부식, 결함의 원인이 되므로 PVA(폴리비닐알코올) 브러시를 이용한 스크럽 세정이나 희석 불산·유기산 등의 약액 세정으로 제거한 뒤 스핀 건조합니다. CMP와 세정은 일체형 장비에서 수행됩니다.

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