CMP(화학적 기계적 연마)에 대한 설명으로 올바른 것은?

정답: A. 슬러리의 화학 작용과 패드의 기계적 연마를 결합하여 표면을 평탄화한다

CMP는 연마 입자와 약액이 들어 있는 슬러리를 공급하면서 웨이퍼를 회전하는 연마 패드에 눌러 연마합니다. 약액의 화학 반응으로 표면을 무른 층으로 바꾸고, 이를 입자와 패드로 기계적으로 제거하기 때문에 화학 작용만, 또는 기계 작용만으로는 얻을 수 없는 속도와 평탄도를 동시에 확보할 수 있습니다. 1980년대에 IBM에서 개발되었으며, 수십 nm의 단차를 웨이퍼 전면에 걸쳐 해소할 수 있어 다층 배선과 구리 배선 형성에 필수적인 기술입니다.